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7家芯片企业已获美国政府巨额补贴

发布时间:2024年5月7日 | 文章来源:维库电子市场网 | 浏览次数:135 | 访问原文

在刚刚过去的4月,台积电、三星、美光接连获得美国政府资金补贴。据不完全统计,已经有7家半导体企业获得美国政府资金补贴。
美国《芯片与科学法案》于2022年8月颁布,计划拨款超过527亿美元资金,用于扶持美国半导体研发、制造和劳动力发展。其中390亿美元作为直接拨款,补贴给半导体生产厂商。
业内人士接受《中国电子报》记者采访时表示,美方对本土芯片产业提供巨额补贴和税收优惠,部分条款逼迫企业弃中就美,具有明显的歧视性,严重违背了市场规律和国际经贸规则,将对全球半导体产业链造成扭曲。
 美光获61.4亿美元补贴
当地时间4月25日,美国的计算机存储芯片制造商美光科技宣布,将从美国联邦政府获得61.4亿美元的直接资金,用于在纽约建设两座DRAM晶圆厂,在爱达荷州新建一家DRAM晶圆厂。除61亿美元的政府拨款外,美光也有资格获得美国财政部的投资税收抵免,这将为合格的资本投资提供25%的抵免。此外纽约州政府也将提供价值55亿美元的激励措施。
 三星获64亿美元补贴
当地时间4月15日,美国商务部宣布,将向三星提供64亿美元的直接补贴,支持该公司在得克萨斯州建设计算机芯片制造和研发产业集群。此外三星还计划申请美国财政部的投资税收抵免,预期能够覆盖合规资本支出的25%。
据悉,三星将对其位于得州奥斯汀的原有晶圆厂进行扩建,同时在奥斯汀东北方向的泰勒市新建两座专注于大规模生产4nm和2nm工艺制程芯片的晶圆厂、一座研发工厂和一座先进封装设施。
台积电获66亿美元补贴
当地时间4月8日,美国商务部宣布,将向台积电(TSMC)发放66亿美元的直接资金补贴,并提供50亿美元的低息政府贷款,用于支持台积电在亚利桑那州新建设三座新的芯片厂。
台积电透露,依进度规划,亚利桑那州首座晶圆厂将于2025年上半年开始生产4纳米制程芯片,第二座厂除了采用3纳米技术,还将于2028年生产采用下一世代纳米片(Nanosheet)晶体管结构的2纳米制程芯片。至于第三座晶圆厂,预计将在21世纪20年代末(2029年至2030年)采用2纳米或更先进的制程技术进行芯片生产。
英特尔获85亿美元补贴
当地时间3月20日,美国商务部和英特尔签署非约束性的初步条款备忘录,拟通过《芯片和科学法案》为英特尔提供85亿美元的直接资金补贴和110亿美元的联邦贷款担保,以推进其在亚利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒冈州的商用半导体项目。其中,英特尔在俄亥俄州的新建晶圆厂将耗资逾200亿美元,预计该厂将于2027年或2028年投产。据悉,俄亥俄州的工厂将生产人工智能芯片。
 格芯获15亿美元补贴
当地时间2月19日,美国政府表示,将向Global Foundries(格芯)提供15亿美元资金,以支持其在纽约州马尔他兴建新厂,并扩大当地与佛蒙特州伯灵顿(Burlington)既有的生产规模。此外,政府还将提供给格芯16亿美元的贷款,终带动投资在120亿美元左右。
 微芯获1.62亿美元补贴
当地时间1月4日,美国商务部宣布,向Microchip Technology(微芯)提供1.62亿美元的政府补贴,以提高该公司芯片和微控制器(MCU)的产量。据悉,该笔补贴将分为两个部分,部分约为9000万美元,用于扩建Microchip Technology在美国科罗拉多州的一家制造工厂,第二部分约为7200万美元,用于扩建在美国俄勒冈州的一家工厂。

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